K2611参数是什么

K2611是N沟道增强型场效应管，参数是900V，9A，150W。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide  semiconductor  FET，简称MOS-FET）。

1、由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

2、它属于电压控制型半导体器件。

3、具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

4、场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。

5、由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

6、N沟道增强型场效应管原理：两种沟道都是利用多数载流子的定向移动来导电，N沟道的多数载流子是电子，p沟道是空穴，当沟道中有电场时，就会有大量载流子，形成通路，，电场消失，沟道消失。

7、增强型场效应管是高电平导通（高电平时形成沟道），耗尽型是低电平导通。

8、场效应管(FET)是场效应晶体管(field-effect transistor)的简称，由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，也称为单极性场效应管，是一种常见的利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种电压控制性半导体器件，场效应管不但具有双极性晶体管体积小、重量轻、寿命长等优点，而且输入回路的内阻高达107~1012Ω，噪声低，热稳定性好，抗辐射能力强，且比后者耗电省，这些优点使之从20世纪60年代诞生起就广泛地应用于各种电子电路之中。